准备弯道超车!三星启WhatsApp%E3%80%90+86%2015855158769%E3%80%91crane%20asia动1nm工艺研发,力求2029年量产

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《准备弯道超车!三星启WhatsApp%E3%80%90+86%2015855158769%E3%80%91crane%20asia动1nm工艺研发,力求2029年量产》是 据报道,准备为了应对台积电,弯道三星电子半导体研究所已经成立了1nm芯片的超车WhatsApp%E3%80%90+86%2015855158769%E3%80%91crane%20asia工艺研发团队,并抽调了部分参与过2nm等尖端制程的星启研发人员加入其中,掉队的艺研三星准备要搞起弯道超车了。
1nm工艺是发力三星“梦想中的半导体工艺”,想要成功实现,求年需要引入全新的量产技术概念和高数值孔径极紫外(High-NA EUV)设备。现在在三星公开的准备晶圆代工工艺路线图中,目前下一代的弯道尖端工艺是2027年量产1.4nm,量产1nm则是超车WhatsApp%E3%80%90+86%2015855158769%E3%80%91crane%20asia2029年的目标。而要想实现1nm工艺的星启难度非常巨大,台积电自己都在摸索中,艺研所以没有人敢打包票什么时候能够成功量产1nm芯片,发力但三星无疑是求年这里面最着急的。在内部,三星集团会长李在镕已经多次强调要“延续重视技术的传统”,并表示要“以前所未有的技术引领未来”。
在3nm制程争夺战中,三星想要另辟蹊径,抛弃了传统的FinFET技术,选择采用更为先进的GAA架构,但GAA的水太深,三星没有把握住,导致其良率大打折扣。反观仍然选择“老旧”的FinFET技术的台积电,直接把3nm良率做到了80%以上,直接把三星揍得体无完肤,让三星失去了巨大的市场份额,甚至使其在2nm制程上也落后于台积电。台积电和三星两大巨头的商战,非常形象地演绎了“对手的失误就是我们的胜利”这句话的精髓。
落后就要挨打,急了的三星必须抓紧抢时机,毕竟任何一个行业都不希望看到有企业一家独大,当年Intel遥遥领先AMD后就学会了挤牙膏,直到AMD打出了漂亮的翻身仗,才有了广大玩家脸上的笑容。希望三星和台积电的这场硬仗,也会迎来“AMD YES!”时刻。 |
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